Eiginleikar Silicon Carbide Schottky Barrier Diode (SBD)

Eiginleikar Silicon Carbide Schottky Barrier Diode (SBD)

Auðvelt er að nálgast SiC SBD (Schottky hindrunardíóða) með sundurliðunarspennu upp á 600V (langt yfir efri mörk sílikon SBD) og yfir. Samanborið við sílikon FRD (hraðbata díóða), hefur SiC SBD mun lægri öfugsnúna endurheimtarstraum og endurheimtartíma og dregur þannig verulega úr bata tapi og hávaðalosun. Að auki, ólíkt kísil FRD, verða þessir eiginleikar ekki fyrir verulegum breytingum innan núverandi og rekstrarhitasviðs. SiC SBD gerir kerfishönnuðum kleift að bæta skilvirkni, draga úr kostnaði og stærð hitavaska, auka skiptitíðni til að draga úr stærð og kostnaði við segulmagnaðir íhlutir og svo framvegis.

SiC-SBD er í auknum mæli notað í aflstuðlaleiðréttingum (PFC) og aukabrúarafriðlum til að skipta um aflgjafa. Umsóknir í dag eru loftkæling, sólarloftkæling, rafhleðslutæki, iðnaðarbúnaður osfrv.

Núverandi SiC SBD lína ROHM inniheldur 600V og 1200V; Málstraumsviðið er 5A til 40A. 1700V tækið er í þróun.

Ávinningurinn af SiC í hálfleiðurum

Eftir því sem markaðurinn fyrir rafeindatæki og rökfræðispjöld heldur áfram að vaxa, verða gallar hefðbundins sílikons sífellt meira áberandi. Þess vegna hafa hönnuðir og framleiðendur verið að leita að betri og snjöllari leiðum til að framleiða þessa mikilvægu íhluti. Kísilkarbíð er slík tilvera. Vegna mikillar bandbilsbreiddar og framúrskarandi hitaleiðni, samanborið við hefðbundna kísiltækni, getur kísilkarbíðtækni sameinað tvö mikilvæg einkenni hátíðni og háþrýstings. Þar að auki eru kísilkarbíðflögur með sömu forskrift aðeins tíundi hluti af stærð kísilflaga. Þar að auki, í kerfisforritum sem byggjast á kísilkarbíðtækni, leiða færri kröfur um hitaleiðni og smærri óvirkir íhlutir til verulegrar minnkunar á heildarstærð tækisins.

Þess vegna skera kísilkarbíð aflhálfleiðarar sig úr meðal venjulegra kísilhálfleiðara og hafa víðtæka notkunarmöguleika á sviðum eins og rafeindaorku, ljóseindatækni og örbylgjusamskiptum.

Www.superbheater.com